應(yīng)用基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD：HAC-102

【概要描述】

分類：產(chǎn)品中心
作者：
來(lái)源：
發(fā)布時(shí)間：2022-07-19
訪問量：0

詳情

該款產(chǎn)品，基于熱絲CVD法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱HoF CVD）鍍膜，適用于高校、科研機(jī)構(gòu)使用，或企業(yè)研發(fā)部門進(jìn)行原理性驗(yàn)證和技術(shù)開發(fā)。熱絲CVD法與PECVD法在功能上具有相通性，例如硅基薄膜鍍膜、氮化硅鍍膜、氟系有機(jī)材料鍍膜等，可以相互替代。但因?yàn)殄兡さ脑聿煌志哂胁煌奶攸c(diǎn)。簡(jiǎn)要總結(jié)如下表所示：

	PECVD	HoFCVD
鍍膜質(zhì)量	高，有等離子體損傷	更高，無(wú)等離子體損傷
鍍膜速度	較慢（非晶硅慢，微晶硅更加慢）	較快（相比于 PECVD，非晶硅快，微晶硅更快）
設(shè)備造價(jià)	高（射頻電源、碳基載板，勻氣結(jié)構(gòu)復(fù)雜）	低（直流電源、金屬載板、勻氣結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單）
運(yùn)營(yíng)成本	一般	較低
顆粒污染	鍍膜氣壓幾十-幾百 Pa，易形成粉塵；需每天 NF3 等離子清洗	鍍膜氣壓幾 Pa，不易形成粉塵；可忽略該問題。
載板要求	一般碳基（石墨為主），載板是PE 放電的電極之一，參與放電，所以對(duì)其導(dǎo)電性等要求很高。	一般金屬載板。載板不參與氣體分子的裂解反應(yīng)，導(dǎo)電性無(wú)要求。
繞鍍問題	原理性問題，需要載板、硅片的平整度和貼合程度要求很高才能避免。	可忽略。對(duì)載板、硅片的平整度、貼合程度要求低。
生產(chǎn)裝備結(jié)構(gòu)	臥式：載板、硅片水平放置，自動(dòng)化易于實(shí)現(xiàn)；粉塵顆粒易于粘附與硅片表面	立式：載板、硅片垂直放置，自動(dòng)化難度高；粉塵不易與粘在硅片表面。
鍍膜均勻性	小面積高；但面積增大難度極高（因?yàn)榈入x子體的控制難度高，有駐波效應(yīng)）。	小面積低；但面積增大容易（因?yàn)闊峤z周期性排布）
設(shè)備普及程度	高。裝備、工藝技術(shù)人員充足豐富。	低。裝備、工藝人員少。

我們針對(duì)基礎(chǔ)研發(fā)和小面積器件制造開發(fā)的HAC102型HoFCVD設(shè)備，基本情況如下：
?  可以進(jìn)行P、I、N型非晶硅/微晶硅/摻氧微晶硅膜的制備、也可進(jìn)行氮化硅、摻氧硅薄膜或其它類型膜層的制備（可根據(jù)用戶需求定制氣路）；
?  有效鍍膜面積≥210mm*210mm（可根據(jù)用戶需求定制）。
?  低價(jià)供應(yīng)優(yōu)質(zhì)熱絲
?  腔體個(gè)數(shù)和各腔體功能可按照客戶要求定制；可實(shí)現(xiàn)全過程工藝菜單編輯和自動(dòng)運(yùn)行，也可手動(dòng)模式。
?  可以提供鈍化后少子壽命5000us以上的baseline工藝（用于異質(zhì)結(jié)電池，對(duì)應(yīng)電池效率≥24.7%）
?  設(shè)備的構(gòu)造、腔體的配置等可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)。
詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系本公司取得。歡迎各方朋友蒞臨指導(dǎo)，交流洽談合作。